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氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法

2014年 应用技术  初期阶段
  • 成果简介
本发明涉及一种氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法。技术特征在于步骤如下：在微波电子回旋共振（ECR）等离子体射频磁控溅射系统中通入Ar气，对Si靶进行预溅射；采用ECR等离子体射频磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积Si3N4薄膜后退火；采用ECR等离子体射频磁控溅射方法在沉积有Si3N4薄膜的蓝宝石上再沉积SiO2薄膜后再退火。本发明制备的氮化硅薄膜可满足化学计量比，薄膜的致密性良好，且...
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